На своём официальном веб-сайте компания Qualcomm подтвердила, что следующий саммит Snapdragon пройдёт на Гавайях с 15 по 17 ноября. Данное мероприятие традиционно используется для демонстрации флагманского чипа Snapdragon последнего поколения, поэтому само собой разумеется, что производитель представит Snapdragon 8 Gen 2.
Новый процессор решит одну из основных проблем Snapdragon 8 Gen 1 – энергоэффективность. Инсайдер Digital Chat Station описал, как будет сконфигурирован Snapdragon 8 Gen 2. SoC имеет кодовое название SM8550 (Kailua), будет производиться по 4-нм процессу TSMC, и включает графический процессор Adreno 740.
Сообщается, что новый процессор будет использовать четыре типа ядер: одного Cortex-X3, двух Cortex-A720, двух Cortex-A710 и трёх Cortex-A510. Эта схема 1+2+2+3 является новой и, по-видимому, уменьшит проблемы с нагревом, обеспечивая при этом флагманскую производительность.
Кроме того, Digital Chat Station сообщает, что Snapdragon 8 Gen 2 может поставляться в двух версиях, причем вторая версия, вероятно, использует тот же кремний, но настроена на более высокие тактовые частоты – до 3,4-3,5 ГГц на основном ядре, по сравнению с ожидаемыми 3,2 ГГц в стандартной модели.
Ранее в базе данных Geekbench появился американский вариант Galaxy S23 с номером модели SM-S911U, оснащённый флагманским чипсетом Qualcomm Snapdragon 8 Gen 2 и работающий под управлением Android 13 (One UI 5). Процессор имеет одно большое ядро ЦП с тактовой частотой 3,36 ГГц, три средних ядра с тактовой частотой 2,8 ГГц и четыре энергоэффективных ядра с тактовой частотой 2,02 ГГц.
В одноядерном тесте аппарат набрал 1524 балла и 4597 баллов в многоядерном – это соответствует прошлогодним iPhone с процессором A15 Bionic и опережает лучший результат, который был у любого гаджета на базе Snapdragon 8+ Gen 1 – Xiaomi 12S Ultra набрал 4282 балла.
