Инсайдер Бенджамина Гескина обнародовал технические спецификации и официальные логотипы грядущих флагманских смартфонов Samsung Galaxy S9 и Galaxy S9 Plus.
Новинки получат 6 ГБ ОЗУ и 128 ГБ ПЗУ с возможностью расширения карточками microSD объемом более 256 ГБ. Помимо этого, другие источники сообщают о версиях с 256 ГБ ПЗУ. В Китае и США смартфоны будут построены на базе чипсета Snapdragon 845, а в других регионах – на фирменном восьмиядерном 10-нм Exynos 9.
Дата анонса Samsung Galaxy S9 пока неизвестна, но предположительно он может состояться на выставке MWC 2018 в феврале.
Отметим, что Galaxy S8 в 2017 году были выпущены позже обычного.
По темеSamsung Galaxy S25 Ultra на Snapdragon 8 Elite представлен официальноПредставлен Samsung Galaxy M55s – Snapdragon 7 Gen 1 и 5000 мАч за $215Представлен 3-нм чип Samsung Exynos W1000Представлена Samsung Galaxy Z Flip 6 – раскладушка на Snapdragon 8 Gen 3 за $1100Представлен Samsung Galaxy S24 FE – Exynos 2400e и только 8 ГБ ОЗУ за $650
