Недавно представители Samsung сообщили о начале производства флеш-памяти стандарта Universal Flash Storage (eUFS) с рекордным объемом 512 ГБ, а также заявили о планах устанавливать ее в свои грядущие мобильные устройства. Можно предположить, что в Samsung намекнули на Galaxy S9.
Инженеры Samsung смогли расположить до восьми 64-слойных чипов памяти V-NAND общим объемом 512 ГБ совместно с контроллером памяти в корпусе, по габаритам соответствующем 256 ГБ eUFS. При этом, максимальная скорость чтения и записи информации достигает 860 МБ/с и 255 МБ/с, что позволяет записать видеофайл размером 5 ГБ приблизительно за 6 секунд, то есть в 8 раз быстрее, чем на стандартную карточку microSD. В Samsung намерены постепенно увеличить объемы производства новой 512-гигабайтной памяти совместно с расширением изготовления 256-гигабайтной.
Помимо этого, сегодня ресурс SlashLeaks обнародовал технические спецификации Galaxy S9, соответствующие более раним слухам. Новый флагман будет оснащен 5,77-дюймовым дисплеем (ранее говорилось о 5,8-дюймовом) и чипсетом Snapdragon 845, хотя традиционный аналогичный по производительности чип собственного производства, с которым выпускают смартфоны Galaxy S в некоторых регионах, в данном случае Exynos 9810, упомянут не был. Также на обнародованном изображении указана дата, намекающая на анонс новинки уже в январе 2018 года.
