Высокие цены на ОЗУ сохранятся до 2030-го
Глава SK hynix Квак Но Джун прогнозирует пик дефицита памяти в 2027 году.
SK Hynix
SK Hynix представила флэш-память UFS 4.1
На саммите FMS 2024 компания SK Hynix представила новые чипы памяти UFS 4.1, которые отличаются беспрецедентной скоростью и производительностью.
SK hynix представила LPDDR5T – ОЗУ со скоростью передачи данных до 9,6 ГБит/с
Южнокорейский производитель памяти SK hynix объявил о выходе самой быстрой в мире DRAM, которую назвала LPDDR5T.
SK hynix анонсировала 238-слойные чипы памяти TLC 4D NAND ёмкостью 512 ГБит
Всего через несколько дней после того, как Micron объявила о своей 232-слойной технологии NAND, SK hynix на выставке Flash Memory Summit 2022 в Санта-Кларе анонсировала 238-слойную флэш-памяти NAND на основе 4D-стека.
SK hynix начинает производство DRAM с использованием EUV-литографии
Компания SK hynix объявила, что в этом месяце она начала массовое производство мобильной памяти DRAM LPDDR4 ёмкостью 8 ГБ на основе технологии 1a-нм, которая является четвертым поколением 10-нм техпроцесса.
SK Hynix начала выпуск модулей на 18 ГБ ОЗУ LPDDR5 для смартфонов
Южнокорейская компания по производству полупроводниковой памяти SK Hynix объявила о начале серийного производства новаторского модуля LPDDR5 DRAM ёмкостью 18 ГБ.
SK Hynix разрабатывает память HBM2E со скоростью до 460 ГБ/с
Южнокорейская компания SK Hynix объявила о разработке памяти DRAM HBM2E с самой высокой пропускной способностью на рынке.