Южнокорейская компания по производству полупроводниковой памяти SK Hynix объявила о начале серийного производства новаторского модуля LPDDR5 DRAM ёмкостью 18 ГБ. Новые чипы памяти предназначены для смартфонов премиум-класса.
Новые модули памяти отличаются не только рекордным объёмом, но и своей скоростью передачи данных. Если пропускная способность LPDDR5 (Low Power Double Data Rate 5) предыдущего поколения составляла 5500 Мбит/с, то пропускная способность новых модулей увеличилась на 20% и теперь достигает 6400 Мбит/с.
Официально подтверждено, что LPDDR5 DRAM ёмкостью 18 ГБ дебютирует в новом игровом смартфоне ASUS ROG Phone 5. Презентация геймерского гаджета ожидается 10 марта этого года. По данным аналитической компании Omdia, в настоящее время LPDDR5 занимает 10% рынка DRAM. Тем не менее, к 2030 году эта цифра может увеличиться до 50%.
К слову, 18 ГБ – это далеко не предел. Стандарт оперативной памяти LPDDR5, утвержденный комитетом JEDEC в феврале 2019 года, подразумевает выпуск микросхем объёмом до 32 ГБ.
