Южнокорейский производитель памяти SK hynix объявил о выходе самой быстрой в мире DRAM, которую назвала LPDDR5T. «T» означает «Turbo», поскольку новые чипы оперативной памяти на 13% быстрее, чем оперативная память LPDDR5X, которая недавно начала появляться на устройствах премиум-класса.
Особенности
LPDDR5T работает на скорости 9,6 ГБит/с по сравнению, тогда как у LPDDR5X эта цифра достигала 8,5 ГБит/с, а у LPDDR5 – 6,4 ГБит/с. На такой скорости новая оперативная память может обрабатывать за одну секунду 77 ГБ данных или 15 фильмов в формате Full HD.
Стоит отметить, что LPDDR5T – это не новое поколение DRAM, а скорее усовершенствованная версия LPDDR5X. Новые чипы памяти основаны на процессе 1 Anm, четвертом поколении 10-нм узла, и используют процесс HKMG (High-K Metal Gate), который снижает энергопотребление и увеличивает скорость. LPDDR5T работает при напряжении от 1,01 до 1,12 В.
LPDDR5T будет использоваться не только в смартфонах, но и в таких направлениях, как искусственный интеллект (ИИ), машинное обучение, а также дополненная и виртуальная реальность (AR/VR).
Доступность
Производитель уже отправил своим партнёрам образцы – мультичиповые упаковки объёмом 16 ГБ (они объединяют несколько чипов LPDDR5T в одном корпусе). Массовое производство SK hynix планирует начать во второй половине этого года.
