Южнокорейская компания SK Hynix объявила о разработке памяти DRAM HBM2E с самой высокой пропускной способностью на рынке. HBM2E обладает примерно на 50% большей пропускной способностью, чем стандарт HBM2.
SK Hynix HBM2E поддерживает пропускную способность до 460,8 ГБ/с – скорость достигает 3,6 ГБит/с на каждую из 1024 линий входов/выходов данных. Благодаря использованию технологии TSV (Through Silicon Via), максимум восемь 16-гигабитных чипов вертикально уложены друг в друга, образуя единый пакет ёмкостью 16 ГБ.
В отличие от традиционных продуктов DRAM, микросхемы памяти с высокой пропускной способностью тесно связаны с процессорами, такими как графические чипы и логические микросхемы, что обеспечивает более быструю передачу данных.
HBM2E станет оптимальным решением памяти для суперкомпьютеров, платформ искусственного интеллекта и высокопроизводительных графических процессоров. Например, GPU c четырьмя стеками HBM2E сможет похвастаться 64-гигабайтным буфером с пропускной способностью в 1840 ГБ/с.
Свою первую в мире HBM компания SK Hynix выпустила в 2013 году. Массовое производство SK Hynix HBM2E стартует уже в следующем году.
