SK Hynix разрабатывает память HBM2E со скоростью до 460 ГБ/с
Новости
Южнокорейская компания SK Hynix объявила о разработке памяти DRAM HBM2E с самой высокой пропускной способностью на рынке. HBM2E обладает примерно на 50% большей пропускной способностью, чем стандарт HBM2. SK Hynix HBM2E поддерживает пропускную способность до 460,8 ГБ/с –…
Читать далее »