Компания Samsung начала производство своей вертикальной NAND (V-NAND) 9-го поколения с трехуровневыми ячейками (TLC) ёмкостью 1 ТБ. Новая память примерно на 50% плотнее и на 10% более энергоэффективна, по сравнению с предшественницей, дебютировавшей в 2022 году.
По словам Хур Сунг-хой, руководителя отдела флеш-продуктов и технологий Samsung Electronics, посредством новейшего массового производства V-NAND компания стремится установить тенденцию на рынке высокопроизводительных твердотельных накопителей высокой плотности, отвечающих потребностям грядущего поколения искусственного интеллекта.
Чтобы повысить качество и надёжность нового продукта, компания Samsung применила такие инновации, как предотвращение помех в ячейках и продление срока их службы, а устранение фиктивных отверстий в каналах позволило значительно уменьшить плоскую площадь ячеек памяти.
Во время телеконференции по итогам третьего квартала в октябре прошлого года компания Samsung объявила, что намерена к 2030 году разработать 1000-слойные чипы NAND для более высокой плотности и возможностей хранения данных, чтобы завоевать позиции на быстрорастущем рынке флэш-памяти NAND, в соответствии с быстро растущим спросом. ИИ-технологии. По данным исследовательской компании Omdia, ожидается, что продажи флэш-памяти NAND во всем мире будут расти в среднем на 24% с $38,7 млрд в 2023 году до $114,8 млрд к 2028 году.
