Samsung представила стандарт памяти UFS 3.0, делающий смартфоны в 2 раза быстрей

Новости
|

Samsung, будучи лидером в производстве модулей памяти, сообщила когда может порадовать своими новыми достижениями в этой области. В Гонконге, на саммите Qualcomm 4G/5G, южнокорейский производитель поведал, что мобильные устройства с флеш-памятью формата UFS 3.0 выйдут на рынок уже в 2019 году.

UFS 3.0

ПЗУ UFS 3.0

Unified File Storage третьего поколения будет доступна в трех вариантах: 128 ГБ, 256 ГБ и 512 ГБ. А вариант, объемом в 1 ТБ выйдет в 2021 году. Чипы UFS 3.0 будут производиться с использованием новейших технологий 3D-NAND от Samsung и позволят компании не только увеличить плотность хранилища в одном размере, но и сделает мобильные устройства в 2 раза быстрее.

ОЗУ LPDDR5

Ещё одним достижением Samsung, в производстве модулей памяти, станет оперативная память формата LPDDR5. Впервые Samsung показала формат LPDDR5 ещё в июле этого года, но решила в очередной раз напомнить о нём на саммите Qualcomm 4G/5G.

По заверению производителя, максимальная пропускная способность ОЗУ нового формата составит 51,2 ГБ/с (в настоящее время около 25 ГБ/с). В то же время энергоэффективность возрастет на 20%.

Samsung LPDDR5

В массовое производство LPDDR5 будет запущена в 2020 году.

Материалы по теме:

Samsung начала производство модулей памяти uMCP, объединяющих LPDDR5 и UFS 3.1 в одном корпусе
Samsung начала производство модулей памяти uMCP, объединяющих LPDDR5 и UFS 3.1 в одном корпусе
Galaxy S10 станет первым смартфоном с ОЗУ LPDDR5 и памятью UFS 3.0
Galaxy S10 станет первым смартфоном с ОЗУ LPDDR5 и памятью UFS 3.0
Samsung запустила производство оперативной памяти LPDDR5 на 16 ГБ
Samsung запустила производство оперативной памяти LPDDR5 на 16 ГБ