Samsung готовится представить новую технологию флэш-памяти NAND, которая работает практически без энергопотребления. Институт передовых технологий компании объявил о прорыве, способном принести ощутимую пользу пользователям.
В научном журнале Nature опубликована статья «Сегнетоэлектрический транзистор для маломощной флэш-памяти NAND», подготовленная группой из 34 учёных. Изначально исследование базировалось на изучении оксидных полупроводников, однако согласно данным Sedaily, их применение в мощных микросхемах ограничено высоким пороговым напряжением. Тем не менее этот недостаток удалось преобразовать в преимущество, которое значительно снижает энергопотребление NAND-памяти по мере увеличения числа её уровней и общего объёма.
За счёт подавления слабых токов ниже порога удаётся эффективно контролировать величину утечки и повышать энергоэффективность устройства. В NAND-памяти эта технология использует особую организацию последовательных ячеек – чем их больше, тем сильнее растёт энергопотребление, поскольку токи утечки продолжают возникать даже после отключения ячейки.
Дополнительное увеличение толщины структуры лишь усиливает проблему при операциях чтения и записи. Учёные выявили ключевые ограничения существующих решений и предложили инновационный подход, позволяющий снизить энергопотребление флэш-памяти NAND до 96% по сравнению с обычными микросхемами.
Сроки начала массового производства пока не раскрываются, однако после выхода таких устройств на рынок пользователи смогут рассчитывать на заметную экономию энергии. Сейчас остаётся ждать появления микросхем UFS 5.0 в смартфонах и других портативных устройствах и надеяться, что Samsung удастся реализовать технологию без серьёзных трудностей.
