С каждым годом флагманские SoC, составляющие основу современных смартфонов, становятся всё меньше. На данный момент доступны чипы, изготовленные по 7-нм техпроцессу, а в следующем году выйдут и 5-нм чипы. Тем не менее, Samsung объявила о прорыве в производстве микросхем, который поможет литейным заводам добиться миниатюризации техпроцесса до 3 нм.
На конференции Samsung Foundry Forum 2019 южнокорейский производитель объявил, что 3-нм техпроцесс Gate-All-Around (3GAE) уже находится в разработке. Благодаря применению GAA быстродействие чипов увеличится на 35%, а энергопотребление сократиться до 50%.
Будучи более сложными в производстве 3-нм чипы GAA, вероятно, будут стоить намного дороже, чем предыдущее поколение SoC, и, следовательно, могут привести к меньшему распространению на рынке. Тем не менее, Райан Ли, вице-президент по маркетингу литейного бизнеса, сказал, что со временем стоимость производства будет снижаться.
Процессоры Samsung, основанные на 3-нм процессоре GAA, появятся уже в 2021 году.
