Samsung первой начала массовое изготовление пятого поколения чипов памяти V-NAND с интерфейсом Toggle DDR 4.0, предназначенных для мобильных устройств, серверов и даже суперкомпьютеров.
Скорость передачи данных и архитектура памяти
Максимальная скорость передачи данных памяти Samsung V-NAND 5-го поколения составляет 1,4 ГБит/с, что на 40% превосходит современные 64-слойные чипы памяти. Новые чипы памяти выполнены по 90-слойной архитектуре и имеют максимальную ёмкость 256 ГБ, при этом емкость каждой ячейки составляет 3 бита.
Энергопотребление, отклик и эффективность производства
В новых чипах было снижено энергопотребление, чего удалось достичь снижением напряжения с 1.8 В до 1.2 В, отклик при записи данных был ускорен на 30% до 500 мкс, а при чтении – до 50 мкс. Также Samsung удалось улучшить производственный процесс, что привело к повышению эффективности производства на 30%.
