Samsung Electronics объявила о начале массового производство 3-нанометровых чипов.
Компания использует транзисторную архитектуру Gate-All-Around (GAA), которая позволяет 3-нм чипам первого поколения иметь меньшую площадь поверхности на 16%, и более низкое энергопотребление на 45% и повышение производительности на 23% по сравнению с текущими 5-нанометровыми чипами. Производитель заявляет, что второе поколение 3-нм техпроцесса позволит снизить энергопотребление на 50%.
На данный момент компания производит первое поколение 3-нм чипов, а производство второго поколения 3-нм техпроцесса планируется начать в 2023 году. Samsung заявляет, что изначально чипы будут производиться для «высокопроизводительных вычислений с низким энергопотреблением», но планируется, что в конечном итоге они появятся и в мобильных устройствах.
Согласно Bloomberg, пока чипы будут производиться в Южной Корее, сначала на заводах в Хвасоне, а затем в Пхёнтхэке. В 2024 году в планах компании открыть ещё один завод в Техасе в городе Тейлор.
