Согласно отчету издания EETimes, компания Intel готова начать массовое производство магниторезистивной оперативной памяти SST-MRAM. Благодаря высокой стойкости и высокой прочности, STT-MRAM может стать будущей универсальной альтернативой традиционным DRAM и NAND.
MRAM (Magnetoresistive Random-Access Memory) – это технология энергонезависимой памяти, которая сохраняет информацию даже в случае изменения состояния питания (например, при потери мощности). Таким образом, она больше похожа на устройство хранения данных, чем, скажем, на DRAM.
MRAM предлагает более высокую скорость записи и чтения, чем DRAM, практически безграничную выносливость, а также возможность хранить данные в течение многих лет при высоких температурах. Также MRAM в 1000 раз превосходит скорость NAND, а время отклика нового типа памяти составляет 1 нс. По словам инженера Intel, встроенные ячейки MRAM имеют 10-летний период хранения информации при температуре 200°C и могут выдерживать более миллиона циклов переключения.
Ещё одним преимуществом MRAM являются крайне низкие показатели брака. При использовании 22-нм техпроцесса уровень выхода годных чипов MRAM превышает 99,9%, что обеспечивается простой конструкцией MRAM.
