Intel готова к массовому производству энергонезависимой памяти MRAM
НовостиСогласно отчету издания EETimes, компания Intel готова начать массовое производство магниторезистивной оперативной памяти SST-MRAM. Благодаря высокой стойкости и высокой прочности, STT-MRAM может стать будущей универсальной альтернативой традиционным DRAM и NAND. MRAM…
Читать далее »