Во время 69-й ежегодной конференции IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) компания Intel продемонстрировала некоторые из своих последних достижений в области разработки и производства транзисторов. Первым на очереди является 3D-интеграция транзисторов.
Компания успешно установила комплементарные полевые транзисторы (CFET) с уменьшенным шагом затвора до 60 нм. Поскольку CFET обещают более тонкие затворные каналы, 3D-пакетированные CFET позволят обеспечить более высокую плотность за счет вертикального и горизонтального перемещения. 7-й узел Intel имеет шаг затвора 54 нм, а это означает, что CFET уже близки к узлам, готовым к производству.
Intel продемонстрировала технологию RibbonFET, новый подход, который является первой новой транзисторной архитектурой с момента появления FinFET в 2012 году. Главным отличием от FinFET станет горизонтальное расположение рёбер транзисторов друг над другом, а не в ряд, как это было ранее. Это открывает путь к более высоким частотам и плотности самих транзисторов.
Используя ленточные каналы, окруженные затвором, эти транзисторы обеспечивают более высокую скорость переключения транзисторов, что впоследствии приводит к повышению частоты и производительности.
Как отмечает производитель новые транзисторы RibbonFET появятся в первом квартале следующего года вместе с техпроцессом 20 А.
