SK Hynix, южнокорейская компания по производству микросхем, сообщила об успешном завершении разработки памяти HBM3. В этой области компании удалось опередить своих ближайших конкурентов, представив первые в мире многоуровневые микросхемы памяти с высокой пропускной способностью.
HBM3 – это четвёртое поколение микросхем памяти семейства HBM, разработанных для повышения скорости обработки данных. В частности, HBM3 предлагает улучшенную полосу пропускания и более высокую ёмкость по сравнению с чипом HBM2.
HBM3 может обрабатывать до 819 ГБ данных в секунду, что на 78% больше, чем у HBM2E. Память HBM3 будет доступна в версиях на 24 и 16 ГБ.
В основном HBM3 будет использоваться высокопроизводительными центрами обработки данных, а также платформами машинного обучения. Когда новая память появиться в серийных продуктах – пока неизвестно.
