Китайская компания по производству памяти Netac Technology заявила, что планирует создать модули DDR5 DRAM, способные работать на частоте 10 000 МГц. Как утверждает ресурс ITHome, Netac уже получила первую партию микросхем от Micron под кодом IFA45 Z9ZSB. Каждая DRAM имеет…
Читать далее »
Samsung расширила линейку памяти DRAM, представив модуль DDR5 объемом 512 ГБ, основанный на техпроцессе High-k Metal Gate (HKMG). Новый модуль памяти разработан для удовлетворения требований ресурсоёмких рабочих нагрузок с высокой пропускной способностью в области…
Читать далее »
Комитет инженерной стандартизации полупроводниковой продукции JEDEC, который занимается установкой стандартов ОЗУ, сообщил на этой неделе о начавшейся разработке нового стандарта DDR5 и о ее быстром продвижении.Большинство экспертов считало, что историю стандарта DDR…
Читать далее »