Китайская компания по производству памяти Netac Technology заявила, что планирует создать модули DDR5 DRAM, способные работать на частоте 10 000 МГц.
Как утверждает ресурс ITHome, Netac уже получила первую партию микросхем от Micron под кодом IFA45 Z9ZSB. Каждая DRAM имеет ёмкость 2Gx8 и рассчитана на работу с таймингом CL40. Чипы DDR5 DRAM основаны на узле 1znm и имеют размеры 11×9 мм или 99 мм2. В прошлом году Micron заявляла, что её память DDR5 может работать со скоростью до 6400 МТ/с, а 10 000, безусловно, намного выше этого числа.
Память DDR5 с частотой 10 000 МГц потребует для работы высокое напряжение, из-за чего она будет сильно нагреваться. Известно, что микросхемы DDR5 могут работать при 2,6 В. Следующей потенциальной проблемой могут стать материнские платы, способные работать с памятью DDR5 с тактовой частотой 10 000 МГц.
Netac – не единственная компания, которая работает над созданием DDR5 с рекордной частотой. Недавно Samsung объявила о создании первого в мире модуля DDR5 ёмкостью 512 ГБ, хотя и не таким быстрым, как решение Netac. Максимальная скорость памяти южнокорейского производителя составит 7200 МТ/с.
