Смартфоны образца 2013 года в ряде случаев имеют по 2 Гбайт оперативной памяти, и скоро это станет уже не исключением, а нормой, считают западные эксперты. Согласно их прогнозам, в следующем году 1-гигабайтные модели станут частью бюджетного сегмента, а 2-гигабайтные перейдут в среднюю ценовую категорию. Ну а флагманские аппараты начнут комплектоваться 4 Гбайт ОЗУ — все предпосылки для этого уже есть.
Под предпосылками в данном случае понимается недавнее заявление компании Hynix — она наладила производство модулей оперативной памяти DDR3 для мобильных устройств, в том числе и смартфонов с планшетами. Пока что ни один из производителей этих гаджетов не сделал анонс соответствующих моделей, но это уже не за горами.
Увеличение объема ОЗУ в карманных устройствах приведет не только к росту их производительности, что вполне логично, но и к увеличению времени автономной работы. Это связано как раз-таки с использованием новых модулей от Hynixm, которые, как заявляется, потребляют на 20% меньше энергии аккумулятора по сравнению с ныне использующимися чипами.
Массовое производство новых чипов Hynix собирается начать в самом ближайшем будущем, чтобы в течение второй половины этого года выйти на приемлемый уровень выпуска. Это означает, что смартфоны с 4 Гбайт ОЗУ могут появиться уже в самом начале следующего года, к примеру, на шоу потребительской электроники CES 2014.
Это совпадает с периодом обновления некоторых флагманских моделей мобильных устройств: в частности, Samsung выпустила моноблок Galaxy S III в мае 2012 года, а спустя год стартовали продажи четвертого поколения этого смартфона.
