Компания Samsung Electronics выпустила высокоскоростную память третьего поколения HBM2E. Модуль получил название Flashbolt и предназначен для суперкомпьютеров, систем AI и устройств, связанных с обработкой графики.
По словам южнокорейского технического гиганта, память объемом 16 ГБ может похвастаться скоростью передачи данных 3,2 ГБит/с и пропускной способностью 410 ГБ/с на стек. Восемь 16-гигабайтных модулей класса 10 нм (1y) вместе с буферной микросхемой объединены в пакет HBM2E с использованием 40000 TSV (через кремниевые переходные отверстия), причём каждый модуль имеет более 5600 микронасосов.
Новейшие DRAM предложат не только вдвое большую ёмкость, чем 8-гигабайтный «Aquabolt» HBM2 второго поколения, но повысят производительность и энергоэффективность. Максимальная скорость при тестировании составила 4,2 ГБит/с или 538 ГБ/с на стек, что 1,75 раза быстрее, чем пропускная способность Aquabolt (307 ГБ/с).
Серийное производство HBM2E третьего поколения начнётся в первой половине этого года. Тем не менее производитель продолжит выпускать и HBM2 второго поколения.
