Компания Samsung Electronics, мировой лидер в области передовых технологий памяти, объявила о создании первой в отрасли 32-гигабитной (ГБ) DDR5 DRAM 1 с использованием технологического процесса класса 12 нанометров (нм). Это достижение стало результатом того, что в мае 2023 года компания Samsung начала массовое производство своей 16-гигабитной памяти DDR5 DRAM 12-нм класса.
До сих пор SK hynix и Micron предлагали чипы DRAM DDR5 ёмкостью до 24 ГБ, что позволяло делать планки на 96 ГБ. Новая разработка Samsung увеличивает этот предел на 33% при тех же физических размерах.
Санджун Хван, исполнительный вице-президент по продуктам и технологиям DRAM компании Samsung Electronics, подчеркнул, что 32-гигабитная DRAM-память класса 12-нм позволяет предоставлять модули DRAM ёмкостью до 1 ТБ, что идеально соответствует растущему спросу на высокопроизводительные ёмкости DRAM.
В отличие от предыдущих требований к процессам Through Silicon Via (TSV) при производстве модулей DRAM DDR5 128 ГБ с 16 ГБ DRAM, технология Samsung DRAM 32 ГБ устраняет необходимость в процессе TSV. Кроме того, он потребляет примерно на 10% меньше энергии по сравнению с модулями ёмкостью 128 ГБ, оснащёнными 16 ГБ DRAM. Это новаторское достижение делает продукт оптимальным решением для предприятий, ориентированных на энергоэффективность, таких как центры обработки данных.
Массовое производство новой 32-гигабитной памяти DDR5 DRAM 12-нм запланировано на конец текущего года. Samsung также отметила, что с 1983 года, когда она выпустила свой первый чип на 64 КБ, ёмкость DRAM увеличилась в колоссальные 500 000 раз.
