Корейская компания Samsung Electronics проинформировала о сотрудничестве с Qualcomm Technologies в сфере производства процессоров: Samsung примет участие в создание нового чипсета Snapdragon 835, основанного на технологическом процессе Samsung 10-нм FinFET.
Напомним, в октябре Samsung заявила о старте массового изготовления первого в мире SoC по 10-нм технологическому процессу FinFET. Данный чипсет характеризуется повышенной на 30% удельной эффективностью поверхности, возросшей на 27% производительностью и сниженным на 40% энергопотреблением в сравнении с 14-нм предшественником.
В Samsung заявляют, что переход на 10-нм FinFET уменьшит кристалл Snapdragon 835, что позволит сделать смартфоны более компактными. Мобильные устройства с Qualcomm Snapdragon 835 поступят в продажу в I половине 2017 года.
