После недавнего начала серийного выпуска 7-нм чипов Samsung по технологии 7LPP (EUV-литографии), массовый выпуск которых намечен на вторую половину 2019 года, стало известно о планах по запуску в 2021 году серийного производства 3-нм чипов с новой архитектурой GAAFET (gate-all-around FET), которая у Samsung будет называться MBCFET (Multi-Bridge-Channel FET).
Описание новой технологии
Архитектура GAAFET сменит современную FinFET, над её разработкой совместно занимаются компании IBM, Globalfoundries и Samsung. Исходя из названия новая технология будет отличаться кольцевыми затворами, а каналы транзисторов GAAFET будут состоять из нескольких горизонтальных кремниевых «нанолистов» и получат вид нанопровода. Тогда как в FinFET канал транзистора под затвором является монолитной вертикальной конструкцией «плавника», что ограничивает возможности масштабирования.
Изначальные планы
Изначально Samsung заявила о переходе на 4-нм технологический процесс 4LPP (Low Power Plus) в 2020 году на конференции Samsung Foundry Forum в мае 2017 года, однако тогда специалисты усомнились в выпуске чипов по новой технологии до 2022 года. Теперь же говорится о выпуске о 3-нм техпроцесса 3LPP GAAFET в 2021 год.
Причины стремительного появления новой технологии
К сожалению, на данный момент неясно в какой продукции будет использоваться новая технология Samsung. Причиной столь стремительного развития новых технологий и инвестирования в них огромные суммы является желание компании уменьшить зависимость от сильно колеблющегося рынка DRAM.
Доходы и планы Samsung
В 2017 году за изготовление чипов Samsung получила в общей сумме около $4,6 млрд, а в ближайших планах компания намерена достичь годовой выручки за данное направление отметки $10 млрд, что поставит южнокорейскую корпорацию на второе место на рынке контрактных производителей после TSMC.
