Компания Micron представила самую быструю в мире память HBM3 Gen2 с пропускной способностью 1,2 ТБ/с и чипы DDR5 ёмкостью 32 ГБ.
Micron, которая ранее представила чипы DDR5 объемом 24 ГБ, планирует начать массовое производство 32-гигабайтных микросхем DDR5 и модулей еще большей ёмкости в первой половине 2024 года. Новые монолитные 32 ГБ схемы DDR5 будут созданы с использованием технологии Micron 1β (1-beta), последнего поколения производственного процесса, не требующего экстремального ультрафиолетового облучения.
К сожалению, скорости передачи данных этих новых 32-гигабайтных блоков не раскрываются. Но важно отметить, что чипы на 32 ГБ позволят создавать модули DDR5 ёмкостью вплоть до 1 ТБ. Однако в следующем году Micron предложит лишь модули объемом 128 ГБ.
Также Micron анонсировала память HBM3 Gen2, названную так из-за своей общей пропускной способности вплоть до 1,2 ТБ/с для 8-уровневого стека ёмкостью до 24 ГБ (предполагается, что скоро будут представлены схемы объемом 36 ГБ). Новинка обладает в 2,5 раза большей энергоэффективностью по сравнению с предыдущим поколением HBM2E.
Кроме того, в дорожной карте компании Micron фигурирует память HBMNex, которая является потенциальной HBM4. Это поколение памяти предполагается иметь пропускную способность 2+ ТБ/с и ёмкость до 64 ГБ, и его ожидают в 2026 году.
