Тайваньское издание DigiTimes, известное публикациями утечек от китайских производителей, обнародовало подтверждение увеличенного объема оперативной памяти в грядущем поколении смартфонов Apple.
Так, в DigiTimes отметили возросший спрос на чипы ОЗУ за счет увеличенного объема DRAM во флагманских смартфонах грядущего поколения, включая новые iPhone 7. В частности, согласно неподтвержденной информации, объем ОЗУ в новых iPhone увеличится с 2 до 3 ГБ.
Коснется ли увеличение объема ОЗУ всех смартфонов новой серии или только старшего 5,5-дюймового устройства – остается неизвестно. Тем не менее, иные источники и ранние слухи сообщают о наличии 3 ГБ ОЗУ только лишь в iPhone 7 Plus.
Напомним, главным изменением в дизайне iPhone 7, предположительно, станет отсутствие привычного 3.5-мм разъема для гарнитуры. Десятое поколение iPhone будет иметь более тонкий корпус, новые чипсеты Apple A10, ПЗУ с минимальным объемом в 32 ГБ вместо прежних 16 ГБ, аккумулятор с большей емкостью, более быстрые LTE и Wi-Fi а также улучшенную защиту от влаги. iPhone 7 Plus будет оснащаться 3 ГБ ОЗУ и двойной камерой. Презентация iPhone 7 должна состоятся в начале сентября 2016 года.
Большой же редизайн запланирован на 2017 год, в честь 10-летнего юбилея смартфонов iPhone.
