На международной выставке потребительской электроники CES 2017 компания Qualcomm продемонстрировала систему на чипе (SoC) Snapdragon 835, который выполнен по 10-нм техпроцессу от Samsung с транзисторами FinFET (3D) второго поколения.
Новинка еще не была протестирована в бенчмарках, однако представители Qualcomm сообщают о 20-процентном приросте производительности сравнительно с предшественниками. Snapdragon 835 представляет собой 2 кластера: первый состоит из 4 производительных ядер с максимальной частотой 2,45 ГГц и 2 МБ кэш-памяти, второй – из 4 энергоэффективных ядер с максимальной частотой 1,8 ГГц и кэшем на 1 МБ. 80% всей нагрузки будет распределено между энергоэффективными ядрами. Оба кластера выполнены по архитектуре Qualcomm Kryo 280, которая базируется на ARM Cortex.
В состав Snapdragon 835 входит обновленное графическое ядро Adreno 540 с 25-процентным приростом производительности в сравнении с предшественником и поддержкой DirectX 12, HDR10, а также Ultra HD. Благодаря технологии Qualcomm QSync, контролирующей и синхронизирующей частоту обновления, удалось достичь повышения FPS и устранения визуальных задержек.
Также SoC включает DSP-процессор Qualcomm Hexagon, на который возложена работа с большим объемами данных, опережая основные ядра по производительности и энергоэффективности в вычислительных задачах. Не смотря на это роль DSP в бенчмарках будет незначительна, т.к. он взаимодействует с системой опосредованно.
А вот в виртуальной реальности работа Qualcomm Hexagon будет заметна, так как он будет задействован в отслеживании движений головы. Данный DSP-процессор совместим с AI-библиотекой TensorFlow и языком обработки изображений Halide, благодаря чему в данных задачах его производительность в 25 раз превышает основные ядра.
Для работы с изображением камеры на очень высокой скорости задействован интегрированный в чипсет Spectra 180 ISP, а LTE-модем X16 имеет поддержку LTE Advanced Pro, благодаря чему стал первым гигабитным 4G-модемом от Qualcomm.
Также представители компании заявили, что Snapdragon 835 будет значительно более энергоэффективным, по данному показателю он на 50% опережает Snapdragon 801. Также новый SoC поддерживает технологию быстрой зарядки Quick Charge 4.0, которая на 20% опережает предыдущую версию и имеет меньшие потери энергии во время зарядки.
