В период китайского Нового года цены на стандартную DRAM и NAND-память выросли почти в 3 раза, что усугубило дефицит микросхем памяти. Согласно прогнозам, такой дефицит продлится как минимум до середины следующего года.
По информации аналитиков Counterpoint Research, стоимость 64-гигабайтных серверных модулей DRAM (RDIMM) DDR5 выросла на 150% по сравнению с предыдущим кварталом в период праздников. Модули мобильной памяти LPDDR5X ёмкостью 12 ГБ подорожали на 130%, а планарные 8-гигабайтные SO-DIMM DDR4, которые используются в ноутбуках, несмотря на статус устаревшей продукции, выросли в цене на 180%. Цены на NAND-память также увеличились на 130-150%.
Ожидается, что восстановление предложения окажется сложным в краткосрочной перспективе. Несмотря на то что отрасль ежегодно инвестирует порядка 80-90 триллионов вон в развитие производства, этого недостаточно для покрытия постоянно растущего спроса. Как отметил эксперт Counterpoint Research Хван Мин-сун:
«В текущем году ожидается, что производство крупных компаний, выпускающих DRAM, таких как Samsung Electronics, SK hynix, Micron, ChangXin Memory Technologies (CXMT) и Nanya Technology, увеличится примерно на 26%, а NAND – на 24%».
Тем не менее аналитик добавил, что крупномасштабное расширение мощностей, скорее всего, состоится лишь после второй половины 2027 года, а полноценное преодоление дефицита возможно только во второй половине следующего года.
Вместе с тем наиболее значимым долгосрочным фактором отрасли становится усиление позиций китайских производителей памяти. По мнению Хвана, рыночная доля китайской компании ChangXin Memory Technologies, выпускающей DRAM, может превысить 10% к 2028 году, тогда как доля Yangtze Memory Technologies (YMTC), занимающейся производством NAND, уже составляет около 13%.
