Южнокорейский производитель памяти SK hynix объявил о выходе самой быстрой в мире DRAM, которую назвала LPDDR5T. «T» означает «Turbo», поскольку новые чипы оперативной памяти на 13% быстрее, чем оперативная память LPDDR5X, которая недавно начала появляться на устройствах…
Читать далее »
Всего через несколько дней после того, как Micron объявила о своей 232-слойной технологии NAND, SK hynix на выставке Flash Memory Summit 2022 в Санта-Кларе анонсировала 238-слойную флэш-памяти NAND на основе 4D-стека. Первая в мире 238-слойная TLC 4D NAND представляет собой…
Читать далее »
Компания SK hynix объявила, что в этом месяце она начала массовое производство мобильной памяти DRAM LPDDR4 ёмкостью 8 ГБ на основе технологии 1a-нм, которая является четвертым поколением 10-нм техпроцесса. Новые чипы стабильно работают на скорости 4266 Мбит/с, что является…
Читать далее »
Южнокорейская компания по производству полупроводниковой памяти SK Hynix объявила о начале серийного производства новаторского модуля LPDDR5 DRAM ёмкостью 18 ГБ. Новые чипы памяти предназначены для смартфонов премиум-класса. Новые модули памяти отличаются не только рекордным…
Читать далее »
Южнокорейская компания SK Hynix объявила о разработке памяти DRAM HBM2E с самой высокой пропускной способностью на рынке. HBM2E обладает примерно на 50% большей пропускной способностью, чем стандарт HBM2. SK Hynix HBM2E поддерживает пропускную способность до 460,8 ГБ/с –…
Читать далее »