Samsung разработала новое поколение флеш-памяти для мобильных устройств. Universal Flash Storage (UFS) 4.0 – это самое производительное в отрасли решение для хранения данных, получившее одобрение от ассоциации JEDEC.
Особенности
В UFS 4.0 используется память Samsung Gen 7 V-NAND и собственный контроллер со скоростью последовательного чтения до 4200 МБ/с и скоростью последовательной записи до 2800 МБ/с. Что быстрее, чем SSD в Xbox Series X, но не дотягивает до накопителя в PlayStation 5.
Версия 4.0 обеспечивает скорость до 23,2 ГБит/с на линию, что вдвое превышает возможности UFS 3.1. Samsung заявляет, что его пропускная способность делает UFS 4.0 идеальным для смартфонов с поддержкой 5G, учитывая большое количество данных, которые могут загружать такие устройства. Новая память также поможет удовлетворить требования приложений дополненной и виртуальной реальности.
Ещё одним преимуществом новой архитектуры является энергоэффективность. Скорость последовательного чтения составляет 6,0 МБ/с на миллиампер (мА). По словам Samsung, это на 46% эффективнее, чем в UFS 3.1, а это значит, что пользователи увидят увеличение времени автономной работы, несмотря на более высокую производительность. UFS 4.0 будет иметь максимальный размер 11×13×1 мм для 1 ТБ хранилища. Тогда как у UFS 3.1 на 512 ГБ имеет размеры 11,5×13×1,0 мм.
Сроки выхода
Массовое производство UFS 4.0 стартует в третьем квартале текущего года. А первые устройства с новой памятью будут доступны уже к концу этого или в начале следующего года.
